DOI: https://doi.org/10.31865/2413-26672415-3079102020207121

КВАНТОВЫЕ ТОЧКИ И КВАНТОВЫЕ НИТИ ДЛЯ СОВРЕМЕННОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

Виктор Надточий, Ирина Воронова, Егор Сыпчук

Анотація


В представленной статье рассмотрен новый способ создания на поверхности монокристаллического германия квантовых нитей (1D структур) для приборных применений.

Ключові слова


квантовые нити; квантовые точки; низкоразмерные структуры; лазер; фотоэлектроника

Повний текст:

PDF

Посилання


Надточiй В.О. Мiкропластичнiсть алмазоподiбних кристалiв (Si, Ge, GaAs, InAs) Дис. д-ра. фiз.–мат. наук. Харкiв : Харкiвський нацiональний ун–т iм. В.Н. Каразiна., 2006. 36 с.

Надточий В.А., Уколов А.И., Алехин В.П. Исследование поверхности деформированного монокристалла германия методом атомно-силовой микроскопии. Деформация и разрушение материалов. М. 2012. №4. С. 26-32.

Уколов О.I. Утворення дефектiв та низькорозмiрних атомних структур у приповерхневих шарах германiю пiд час деформацiї в iнтервалi температур 300–600 К. Дис. канд. фiз.–мат. наук. Харкiв : Харкiвський нацiональний ун–т iм. В.Н. Каразiна., 2014. 20 с.

Nadtochiy V., Golodenko M., Moskal D. Investigation of dislocations in Ge single cristals by scanning electron beam. Functional Materials. 2004. V. 11, №1. P. 40–43.

Устинов В.М. Технология получения и возможности управления характеристиками структур с квантовыми точками. ФТП. 2004. Т. 38., Вып. 8. С. 963–970.

Талочкин А.Б., Чистохин И.Б., Марков В.А. Продольная фотопроводимость многослойных Ge/Si-структур с квантовыми точками Ge. ФТП. 2009. Т. 43., Вып. 8. С. 1034–1038.

Венгренович Р.Д., Гудыма Ю.В., Ярема С.В. Оствальдовское созревание в условиях смешанного типа диффузии. ФТП. 2001. Т. 35., Вып. 12. С. 1440–1444.

Алексеев П.А., Дунаевский М.С., Михайлов А.О. и др. Электрические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на гибридных подложках графен/SiC. ФТП. 2018. Т. 52., Вып. 12. С. 1507–1511.

Родес Р.Г. Несовершенства и активные центры в полупроводниках. М. : Металлургия, 1968. 371 с.

Карпович И.А. Квантовая инженерия: самоорганизованные квантовые точки. Соросовский образовательный журнал. 2001. Т. 7., Вып. 11. С. 102–108.

Алферов Ж.И. Двойные гетероструктуры: концепция и применения в физике, электронике и технологии. УФН. 2002. Т. 172., №9. С. 1068–1086.


Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.