МЕТОДИ ДОСЛІДЖЕННЯ І ОСНОВНІ ВЛАСТИВОСТІ НИЗЬКОРОЗМІРНИХ СТРУКТУР
ФІЗИКА
DOI:
https://doi.org/10.31865/2413-26672415-3079112021234828Ключові слова:
мікропластичність, структурні дефекти, методи дослідження, дислокація, кластерАнотація
В роботі систематизовані найбільш часто використовувані методи дослідження напівпровідникових структур низької розмірності (від одиниць мікрометрів до десятків нанометрів), що дозволяють кількісно і якісно визначати традиційні і нові їх властивості. Розглянуто явища, що відбуваються в приповерхневих шарах алмазоподібних кристалів під дією низькотемпературної (нижче 0, 35 Tпл) деформації, ультразвукового і лазерного опромінення. Встановлено фізичний механізм низькотемпературної мікропластичності в монокристалах Ge і Si. Визначено фізичні закономірності модифікації приповерхневих шарів GaAs при низькорівневому лазерному опромінюванню. Запропоновано новий метод формування наноструктур в Ge під дією дислокаційно-поверхневої дифузії.
Посилання
Неволин В.К. Зондовые нанотехнологии в электронике / В.К. Неволин. — М.: Техносфера, 2005. — 147 с.
Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ. Книга 2. / Гоулдстейн Дж., Ньюбери Д. и др. — М.: Мир, 1984. — 349 с.
Шиммель Г. Методика электронной микроскопии. — М.: Мир, 1972. — 300 с.
Гурьянова О.М. и др. Электронная дифракция вершинных каталитических частиц в углеродных нанотрубках // ФТТ. — 2002. — Т. 44., № 3. — С. 455-457.
Хирш П.Б. 50 лет исследованиям дислокаций с помощью просвечивающей электронной микроскопии: прошлое, настоящее, будущее : доклад лауреата Большой золотой медали РАН имени М.В. Ломоносова / П.Б. Хирш // Вестник Российской академии наук. — 2006. — Т. 76., № 10. — С. 892-898.
Маслова Н.С., Панов В.И. Сканирующая туннельная микроскопия атомной структуры, электронных свойств и поверхностных химических реакций // УФН. — 1989. — Т. 157, №1. — С. 185-195.
Ревокатова И.П., Силин А.П. Сканирующая туннельная микроскопия атомной структуры, электронных свойств и поверхностных химических реакций // УФН. — 1984. — Т. 142, №1. — С. 159–162.
Ткачев А.Г. Аппаратура и методы синтеза твердотельных наноструктур : монография / А.Г. Ткачев, И.В. Золотухин. — М.: Издательство Машиностроение-1, 2007. — 316 с.
Жданов Г.С. Оптика внутри дифракционного предела / Г.С. Жданов, М.Н. Либенсон, Г.А. Марциновский // УФН. — 1998. — Т. 168, №7. — С. 801-804.
Kailer A. Raman microspectroscopy of nanocricristalline and amorphos phases in hardness indentations / A. Kailer, G.N. Klaus, Yu.G. Gogotsi // J. Raman Spectrosc. — 1999. — Vol. 30. — P. 939-946.
Liu Q.L. Quantative strain of misfit dislocations in a Ge/Si heterostructure interfase by geometric phase analysis / Q.L. Liu, C.W. Zhao, Y.M. Xing, S.J. Su, B.W. Cheng // Optics and Lasers in Enginiring. — 2012. — Vol. 50, №5. — P. 796-799.
Надточий В.А. Микропластичность алмазоподобных кристаллов (Si , Ge, GaAs, InAs) : Дис. ... докт. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Харьк. нац. ун.-т. — Харьков, — 2006. — 467 с.
Москаль Д.С. Дефектообразование в приповерхностных слоях монокристаллов GaAs под действием низкоуровневого пространственно модулированного лазерного облучения : Дис. ... канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Харьк. нац. ун.-т. — Харьков, — 2008. — 138 с.
Надточий В.А. Исследование поверхности деформированного монокристалла германия методом атомно-силовой микроскопии / В.А. Надточий, А.И. Уколов, В.П. Алехин // Деформация и разрушение материалов. — 2012. — №4. — C. 26–33.
Надточий В.А. Устройство для измерения параметров рекомбинации неравновесных носителей заряда в приповерхностных слоях монокристаллов Ge / В.А. Надточий, А.И. Уколов // Вiсник Харкiвського нацiонального ун-ту, серiя «Фiзика». — 2012. — №1020, в. 17. — С. 87–90.
Надточий В.А. Исследование электрических свойств Ge и Si , деформированных при низких температурах / В.А. Надточий, Н.К. Нечволод, Д.Г. Сущенко // ФТВД. — 2001. — Т. 11, №1. — C.104–110.
Патент 97999 Україна, МПК G01N 27/87. Спосiб визначення мiри дефектностi приповерхневих шарiв монокристалiв германiю або кремнiю / Надточiй В.О., Уколов О.I. — опуб. 10.04.12.
Надточий В.А. Формирование наноструктур в Ge при условии дислокационно-поверхностной диффузии / В.А. Надточий, А.И. Уколов, Н.К. Нечволод // ФТВД. — 2012. — Т. 22, №3. — C. 54–62.
Уколов А.И. Распределение дефектов в тонких полупроводниковых пластинах при низкотемпературной деформации / А.И. Уколов, В.А. Надточий, Н.К. Нечволод // ФТВД. — 2013. — Т. 23, №4. — C. 83–91.
Уколов А.И. Свойства наноструктур, сформированных на поверхности Ge диффузионным массопереносом / А.И. Уколов, В.А. Надточий, А.С. Винокурова // Збiрник наукових праць фiзико-математичного факультету ДДПУ. — Слов’янськ, 2014. — №4. — С.79–85.
Уколов О.I. Дифузiйно-дислокацiйна мiкропластичнiсть монокристалiв Ge нижче температурної межi крихкого руйнування / О.I. Уколов, В.О. Надточiй, М.К. Нечволод // Фiз. i хiм. твердого тiла. — 2010. — Т. 11, №3. — С. 575–579.
Патент 101705 Україна, МПК H01L 21/322(2006.01). Спосiб створення наноструктур на поверхнi Ge / Надточiй В.О., Уколов О.I. – опуб. 25.04.2013.
Надточий В.А. Изменение времени жизни носителей заряда и проводимости дефектного приповерхностного слоя Ge при термообработках / В.А. Надточий, Н.К. Нечволод, Н.Н. Голоденко // ФТВД. — 2004. — Т. 14, №3. — С. 42–48.
Надточий В.А. Квантовые точки и квантовые нити для современной полупроводниковой электроники / В.А. Надточий, И.В. Воронова, Е.Ю. Сыпчук // Збiрник наукових праць фiзико-математичного факультету ДДПУ. — Слов’янськ, 2020. — №10. — С.59–64.
